1. 首页 / 帮助

igbt饱和压降是什么

  igbt饱和压降是在门极电压驱动下,IGBT工作于饱和区(什么是饱和区请查阅相关资料),IGBT集电极(C)与发射极(E)之间的电压差;不同的门极电压对应不同的饱和压降。

  饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标,在门极驱动电压存在的情况下,发生IGBT过流,Vce会急剧上升,一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)左右,IGBT就会损坏。

  一般的IGBT驱动保护模块就是通过监控Vce是否大于饱和压降,来实现IGBT过流保护的。

本文由'赫醉南'发布,不代表演示站立场,转载/删除联系作者,如需删除请-> 关于侵权处理说明